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論文

Crystallization of an amorphous layer in P$$^{+}$$-implanted 6H-SiC studied by monoenergetic positron beams

上殿 明良*; 谷川 庄一郎*; 大島 武; 伊藤 久義; 吉川 正人; 梨山 勇; Frank, T.*; Pensl, G.*; 鈴木 良一*; 大平 俊行*; et al.

Journal of Applied Physics, 87(9), p.4119 - 4125, 2000/05

https://doi.org/10.1063/1.373039
 被引用回数：12 パーセンタイル：49.24(Physics, Applied)

陽電子(単色)消滅法を用いて1$$times$$10$$^{15}$$/cm$$^{2}$$の200keV-リン(P$$^{+}$$)注入した6H-SiCの注入層を調べた。注入は室温、800$$^{circ}C$$または1200$$^{circ}C$$で行った。室温注入では表層の注入層はアモルファス化、注入層の深部は複空孔がおもに残留していることがわかった。注入後、1700$$^{circ}C$$までの熱処理を行ったところ、空孔型の欠陥のアニール挙動が熱処理の温度領域によって五つに分けられた。また、800$$^{circ}C$$、1200$$^{circ}C$$注入では注入層はアモルファス化はしないが、表層に大きな空孔クラスター残留層、深部には表層に比べサイズの小さな空孔クラスターが残留することがわかった。これらの試料を1700$$^{circ}C$$まで熱処理すると、800$$^{circ}C$$注入試料の残留欠陥サイズが最も小さく、続いて1200$$^{circ}C$$注入試料、最も残留欠陥サイズが大きかったのが室温注入試料となり、注入後同じ温度での熱処理を行っても注入温度によって残留欠陥サイズが異なることがわかった。

論文

Present status of the positron factory project and development of positron beam techniques

岡田 漱平; 金子 広久; 河裾 厚男; 益野 真一*; 須永 博美; 滝沢 春喜; 四本 圭一

JAERI-Conf 95-021, 0, p.422 - 424, 1995/10

https://jopss.jaea.go.jp/pdfdata/JAERI-Conf-95-021.pdf

100MeV、100kW級の電子リニアックを用いて高強度単色陽電子ビームの発生と多分野への利用を目指すポジトロンファクトリー計画について、ターゲット(電子/単色陽電子変換部)などの要素技術の研究開発の現状を報告する。また、ポジトロン利用技術の開発のため先行的に進めているMeVパルスポジトロンビーム形成の現状について、イオンビームを利用した陽電子内部線源法の技術開発と関連させて報告する。

論文

Investigation on the positron factory project at JAERI, VIII; Simultaneous extraction of multi-channel monoenergetic positron beams using an electron linac

岡田 漱平; 金子 広久; 須永 博美; 益野 真一*; 滝沢 春喜; 四本 圭一

Proc. of the 20th Linear Accelerator Meeting in Japan, 0, p.59 - 61, 1995/00

モンテカルロシミュレーションの結果に基づき提案してきた、電子リニアックを用いる多チャンネル単色陽電子ビーム同時取り出しの可能性を実験により実証した。

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